|
aHR0cDovL2ZyZWVzaGlwLmNvLmty
Æ®·£Áö½ºÅÍ Å×½ºÅÍ ´Ùä·Î¿î µð½ºÇ÷¹ÀÌ ÀüÀÚ Å×½ºÅÍ, ´ÙÀÌ¿Àµå 3 ±Ø°ü ¿ë Æ÷ÄÏ °¡´É
Ư¡:
1. ³Î¸® »ç¿ë:ÀÌ Æ®·£Áö½ºÅÍ Å×½ºÅÍ´Â NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ÀúÇ×±â, ´ÙÀÌ¿Àµå, Æ®·£Áö½ºÅÍ, n-ä³Î ¹× p-ä³Î MOSFETs, igbt, JFETs, »çÀ̸®½ºÅÍ ¹× ¹èÅ͸®¸¦ °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ ³Î¸® »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
2. ´Ùä·Î¿î µð½ºÇ÷¹ÀÌ:Æò¼Ò¿¡´Â Èæ¹é ȸéÀÌÀÖ´Â ´Ù¸¥ Ä¿ÆнÃÅÍ Å×½ºÅÍ¿¡ ºñÇØÀÌ ¹ÌÅÍ¿¡´Â ´Ùä·Î¿î µð½ºÇ÷¹ÀÌ°¡ ÀÖ½À´Ï´Ù. ÈξÀ ´õ ¼±¸íÇÕ´Ï´Ù.
3. ´Ù±â´É:ÀÌ Å×½ºÅÍ´Â Àû¿Ü¼± ÆÄÇüÀ» °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ »ç¿ëÇÒ ¼öÀÖÀ»»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµåµµ °¨Áö ÇÒ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. ±×¸®°í, ±×°ÍÀº Àڱ⠺¸Á¤ ±â´ÉÀÌ ÀÖ½À´Ï´Ù. °¨Áö°¡ ¿Ï·áµÈ ÈÄ "IR" Á¶¸í¿¡¼ Àû¿Ü¼± ¸®¸ðÄÁÀ» Á¶ÁØ, ¸®¸ðÄÁÀÇ ¹öÆ°À» ´©¸¨´Ï´Ù. °¨Áö±â°¡ ¼º°øÀûÀ¸·Î µðÄÚµùµÇ¸é µ¥ÀÌÅÍ ÄÚµå¿Í Àû¿Ü¼± ÆÄÇüÀÌ Ç¥½ÃµË´Ï´Ù.
4. ´õ ¸¹Àº ±â´É:ÀÌ Å×½ºÅÍ¿¡´Â TFT ±×·¡ÇÈ µð½ºÇ÷¹ÀÌ, ¿øÅ° ÀÛµ¿, ÀÚµ¿ Á¾·á, ´ë¿ë·® ÃæÀü½Ä ¸®Æ¬ ¹èÅ͸® ³»Àå, ÀÌÁß ¾ð¾î Áß±¹¾î ¹× ¿µ¾î Áö¿ø.
5. °æ°í:Á¤Àü¿ë·®À» Å×½ºÆ®ÇÒ ¶§ ¸ÕÀú ¹æÀüÇϽʽÿÀ. ±×·¸Áö ¾ÊÀ¸¸é ±â°è°¡ ±¸¿öÁý´Ï´Ù.
»ç¾ç:
À̸§: ´Ù±â´É Æ®·£Áö½ºÅÍ Å×½ºÅÍ
¿ø»êÁö: Áß±¹
DIY ¿ëÇ°: Àü±â
µð½ºÇ÷¹ÀÌ À¯Çü: µðÁöÅÐ µð½ºÇ÷¹ÀÌ
ÃøÁ¤ ÀδöÅϽº ¹üÀ§: 0.01 mh-1h
Å©±â: 70*90*26cm
ÃøÁ¤ ÀúÇ× ¹üÀ§: 0.01 -10Ω
ÃøÁ¤ Ä¿ÆнÃÅϽº ¹üÀ§: 5pF-1F
¹°ÀÚ:
µð½ºÇ÷¹ÀÌ: tft ½ºÅ©¸°, Ä÷¯ ½ºÅ©¸° (1.8 ÀÎÄ¡)
Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå: Æ®·£Áö½ºÅÍ °¨Áö ¿µ¿ª: 0.01-4.5v
Á¦³Ê ´ÙÀÌ¿Àµå °¨Áö ¿µ¿ª: 0.01-30v
SCR ¹üÀ§: IGT<6mA
Àü¿ø °ø±Þ ÀåÄ¡: ³»Àå ÃæÀü½Ä ¸®Æ¬ ¹èÅ͸® (300 mA)
NPN ¹× PNP Æ®·£Áö½ºÅÍ, Ä¿ÆнÃÅÍ, ÀúÇ×±â, ´ÙÀÌ¿Àµå, »ï°¢´ë, n ä³Î ¹× p ä³Î MOSFETs, IGBT, JFET, »çÀ̸®½ºÅÍ ¹× ¹èÅ͸®¸¦ °¨ÁöÇÏ´Â µ¥ ³Î¸® »ç¿ëµÉ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù.
Âü°í:
´Ù¸¥ ¸ð´ÏÅÍ ¹× Á¶¸í È¿°ú·Î ÀÎÇØ Ç׸ñÀÇ ½ÇÁ¦ »ö»óÀÌ »çÁø¿¡ Ç¥½ÃµÈ »ö»ó°ú ¾à°£ ´Ù¸¦ ¼ö ÀÖ½À´Ï´Ù. °¨»çÇÕ´Ï´Ù!
¼öµ¿ ÃøÁ¤À¸·Î ÀÎÇØ 1-2cm ÃøÁ¤ ÆíÂ÷¸¦ Çã¿ëÇϽʽÿÀ.
1*Å×½ºÅÍ
1*µ¥ÀÌÅÍ ÄÉÀ̺í
1*¾×¼¼¼¸® Å°Æ®
[Relateproductdetail/]
|
|
|
|
|
|